熊编月谈 走LV范儿内存价格趋势解析

　　熊编月谈：看清7月内存价格

　　先跟大家说说7月以来，特别是本周的内存现货价格情况。市场价格涨跌不一；纵观一周来走势，其中DDR21Gb800MHz及DDR21Gb一周来分别下跌1.36%及2.23%，周四(9日)收市价分别为2.17美元及2.19美元；而DDR3颗粒方面，因现货供给不充裕带动，价格一上扬，其中DDR31Gb1333MHz一周来上涨1.57%，周四收市价为2.58美元。

　　而NANDFlash方面则因买方开低价格，供应端也降价求单的影响，价格有所松动，其中16GbMLC周初一度大幅下跌2%，随后需求浮现，再次激励价格反弹，周四收市价涨至今年1月底以来新高，一周来涨幅约1.83%，32GbMLC也上涨了0.29%。

　　熊编月谈：LV内存

　　展望第三季，市场人士多看好7月下旬之后，预期终端需求将可望增加，而尽管市场预期个人电脑及笔电市场出货成长力道恐仍受欧债风暴波及，但因返校潮效益，估计季成长将仍有16%-18%的水准。另外，有市场人士指出，受惠于苹果iPad开卖之后市场反应热烈，iPad对于MLCNANDFlash的需求明显增温，再加上其他产品的推波助澜下，市场对于第三季市场景气多持乐观态度，价格将可望受到支撑。

　　进入到7月以来，我们可以看到市面上的DDR3内存由于制程的革新，其电器效能有明显改善。下面小编我就先来为大家详细说说这里面的门道。

　　易威登：DDR3价杀高效又环保

　　DDR3不但已跃居主流王座，价格越杀越低，还LowVoltage低电压，让你超频之余也能爱地球！不会吧～LV？！这么高贵的东西，怎么会跟DRAM扯上关系？人家DRAM现在不但很爱高贵的“LV”，还相当有高贵的情操呢！

　　因为这个“LV”，其实是LowVoltage低电压的缩写！即使现在DRAM的主流已经来到高速又高效的DDR3，但还是这么没架子，不但价位越杀越低，效能越来越强，还精益求精的更低的电压消耗，让你在超频快感的快乐享受中，一样可以好好的环保节能爱地球！所以说，DRAM爱“LV”可不是随便玩玩儿，绝对是有放真感情下去滴，就让我们也一起来享受这高贵的LV包包。让我们一起来响应这“LV”低电压DRAM内存吧。超频得越久，省电得越多。

　　今年DDR3存储器已经完全稳坐市场主流宝座，这从主机板上存储器规格的支持便可看出，不管是Intel或AMD的主机板，均已全面导入支持DDR3存储器的规格，加上Intel新Corei7/i5处理器的普及，都带动了DDR3存储器的需求，目前市占比约为六、七成以上，其中尤以DDR3-1333最受消费者青睐，Intel的i3/i5/i7的主机板均可支持。

　　至于存储器主流容量则为2GB，约占90％市场比例，一方面也是受到WIN7问世的影响，WIN7虽然已把许多Vista为人诟病的设计拿掉，但还是满吃资源的，所以想要效能高一点，最好装2GB以上的存储器为佳。而DDR32GB的主流价格，目前约在1,500至2,000元左右。不过在一般入门机种的部分，DDR2依然以超杀价格占有一席之地，只是往后将日渐被DDR3取代。

　　此外，预计在2010年底，笔记型计算机也将开始支持DDR3-1600频率，同时桌上型计算机预计最快在2011年，主流规格将从DDR3-1333转至DDR3-1600。下面小编我就给大家介绍一下各家内存大厂高时脉，低电压的新产品和新动向。

　　极品LV条：三通道DDR3更高效

　　DRAM除了双通道之外，现在三通道的需求也越来越多，自从IntelCorei7平台内部改采全新1366针脚的QPI技术（QuickPathInterconnet），直接将存储器控制器整合在处理器内，便能有效解决以往FSB传输速率的瓶颈问题，不但更大幅强化带宽，让最高传输速率可达25.6GB/s，并支持三通道6组DDR3存储器插槽，最高可支持达24GB存储器容量，也大幅提升了50%传输效能。特别是在存储器速度、扩充量都大幅的情况下，还拥有更佳的散热及省电功效，对于重效能的玩家可说深具吸引力唷！

　　DDR3相较于DDR2有多项的优势，如DDR3采用8bit预先取设计、时钟频率介于800MHz至1600MHz之间，较DDR24bit的预取设计、时钟频率介于400MHz至800MHz之间为倍数成长。而在节能环保方面，DDR3的表现也颇为出色，其规格要求将工作电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电，供率消耗可望藉此节省30%，并采用ASR（Automaticself-refresh）的设计，以确保在资料不遗失的情况下，尽量减少更新频率来降低温度。

　　不过目前各大厂又纷纷推出LV（LowVoltage）低电压的DDR3新品，可再将1.5V的工作电压降低至1.35V左右，而且虽然降低了工作电压，还是能同时保有高工作时脉，让玩家在超频时PC整机耗电能够下降，日积月累的结果不但节省荷包，还能为环保尽一份心力。此外，对超频玩家而言，低电压也代表了能有更多的余裕探索存储器的极限，把时脉或是时序往更高的境界推进。

　　新品高速DDR3抢先看：Kingston质量稳定技术领先

　　Kingston日前推出全新LoVo系列存储器模块―HyperX1600MHz1.25V与1866MHz1.35V，为全球首款最高速的低电压、及超低电压的双通道套装存储器。金士顿亚太区DRAMMemory业务总监柏安表示：“DDR3目前标准工作电压为1.5V，但HyperXLoVo除降低工作电压外，并可同时保有高工作时脉，不但节省荷包还可环保节能，而低电压也代表让超频玩家能有更多余裕探索存储器的极限，把时脉或时序往更高境界推进。”柏总监另也推荐HyperXT1DDR3-2250，针对Intel的i3/i5/i7及AMDPhenomII/AthlonII系列产品均可完美搭配，具备独特鳍状T1散热片，除加高外还有剖沟可增加散热面积，满足对效能有较高要求的使用者。另外针对预算有限或一般用途的user，则推荐高稳定性与兼容性的ValueRAMDDR3-1333存储器。

　　柏总监指出，Kingston是第一家推出最大容量24GB存储器的厂商，在Computex期间更发表HyperXDDR3-2544测试影片，为目前速度最快的DDR3产品，往后也将持续领先提升存储器的速度与容量，并提供更多散热解决方案，如将在第三季推出首款水冷式存储器HyperXH2O。此外除现有的HyperXT1与HyperX标准系列外，还推出更超值的HyperXblu，让预算有限的消费者也能享受HyperX的绝佳效能。后续并将透过与热门电影或电玩的合作，提供消费者更多新鲜感与好康活动。

　　Kingston存储器产品均享终身保固，全台并有10处授权换修中心，并提供方便快速的网络验证机制，还有Blog、Facebook粉丝页与Twitter等接口，提供更多元的沟通平台。

　　新品高速DDR3抢先看：ADATA严格测试的优异质量

　　威刚科技日前推出全新XPGGaming系列DDR3-2000Gv2.0存储器模块，是专为采用IntelX58、P55与H55平台的电玩玩家与一般计算机使用族群而设计，严选IC颗粒并通过严格测试，采用优质双倍铜箔8层电板让热源区获得立即性的散热效果，能有效降低电流的抗阻值并减少电源耗损，同时大幅延储器寿命，并提升讯号的完整性。搭配延伸铝制散热片，可有效存储器模块的温度，还采用独特的TCT(ThermalConductiveTechnology)传导性散热技术，让每颗存储器颗粒的表面均直接与散热片接触，可达到快速散热的效果，并内建ExtremeMemoryProfiles功能，1.55V~1.75V电压伏特可运作到CL9-9-9-24，支持64位元操作系统，提供2GBx2双通道包装及2GBx3三通道包装。

　　威刚科技业务二处业务三部副理曾麒宪谈到：“威刚目前是第一大存储器模块制造商，我们不但具备高采购量的优势，而且不同于其它厂商利用组装计算机来测试产品，威刚特别重金购买专业测试的大型机台，不但能严格掌控质量，在速度、稳定度及兼容性等测试也具备更高的准确度。”威刚科技产品企划处DRAM产品企划部专案经理刘冠沛则指出：“由于消费者购买存储器产品时无法现场测试，所以威刚都在厂内做好100％的严格测试，尤其超频产品特别能展现优于同业的杰出效能，即使在严苛的下，也能让玩家获得高稳定性及高速的极致体验！”

　　创见信息最新发表aXeRamDDR3-2000三通道及DDR3-1600双通道套装超频存储器模块，以高速低耗电高效能等特性，满足玩家与中高阶达人的超频需求。其中6GB(2GBx3)套装aXeRamDDR3-2000支持三通道模式，可提供每秒48GB传输带宽，效能较标准时脉1333MHz大幅提高达35％，并可兼容于IntelX58芯片组的主机板，同时为响应节能并提升系统稳定度，采用业界最低1.6伏特工作电压及9-9-9-24时序规格，搭配特殊鳍型散热片，能有效排出系统高速运转产生的热能，让玩家尽情驰骋于Corei7新平台；而4GB(2GBx2)套装aXeRamDDR3-1600双通道存储器，同样仅需1.6伏特工作电压，就能提供超越DDR31333MHz达15%系统效能，可兼容于IntelP55系列主机板，使用8-8-8-24时序规格，优异表现加上导热性佳的铝制散热片，是追求最高C/P值的超频族群必备首选。

　　8孔路由器价格创见信息运筹服务处协理陈清荣表示：“我们的aXeRamDDR3-2000超频存储器模块已取得IntelXMP认证，可将存储器效能发挥到极致，且不论在超频性或电气特性等都完全符合世界大厂的标准和规范。此外创见存储器也拥有相较同业更完整的产品线，如针对服务器的使用已推出单条容量达8GB的DDR3RegisteredDIMM，同时在产品的用料和测试方面都相当讲究且严谨，全省还有7家直营门市提供最完善的售后服务。”陈协理另也推荐单条4GB的DDR3超频存储器模块TS512MLK64V3N，5,000元的售价可说相当超值，搭配性也很方便。而创见下半年将计画推出DDR32400的超频产品，未来也将持续针对高容量和超频需求研发新品。

　　新品高速DDR3抢先看：Apacer最优秀超频内存

　　宇瞻科技目前主推GiantII系列超频存储器模块，搭配GiantII系列巨型散热片，采用独家“曝气式窗孔”散热技术，同时在颗粒的选择上采用先进的测试制具与程序，设定各种不同电压与时序的参数条件，从存储器大厂的原厂颗粒中严选出超频性能最强的存储器颗粒，并辅以72小时高温高压严苛的压力测试，刷掉稳定性不佳的存储器颗粒，确保所挑选的颗粒不但具备优异超频性能，更同时拥有绝佳的超频稳定性。

　　宇瞻科技通直营事业部业务营销处产品经理吕嘉振指出：“宇瞻科技具备坚强的研发能力，为市场上少数能提供DRAM产品全系列的存储器模块厂商。其中针对商用市场主推服务器存储器、工业计算机专用的工规存储器、及特殊用途存储器模块如打印机、由器专用记体体模块等，在此领域的客人特别重视产品的质量与厂商的研发能力，而宇瞻在此领域深耕已超过十年，累积了众多客户，并建立客户对宇瞻产品质量与技术能力的信任，这是宇瞻最大的优势，也是其它竞争者无法超越的部份。至于家用产品市场所使用的存储器模块，则以质量为基石，做品牌策略获得消费者高度认同，加上推动存储器模块的终身保固政策，以完善健全的售后服务体系让消费者放心。”

　　吕经理并表示，超频存储器市场是Apacer锁定的重点市场，在此次Computex2010中Apacer便LiveDemo展示全球最高频率的DDR3-2600MHz超频存储器，将近100%的超频幅度震撼市场，大幅领先他牌超频存储器模块，不仅代表宇瞻科技已取得存储器超频技术上全球领先地位，后续也将全力开发一系列最高效能超频存储器产品，提供超频玩家更优质多样的选择。

　　我们赚钱了：劲永6月营收超3成

　　内存模组厂劲永国际公布6月合并营收为19.09亿元，月增幅度达32%，反弹强劲，不过第二季合并营收50.63亿元，较第一季明显减少34%，上半年合并营收127.38亿元，年增率则达一倍之多。

　　劲永表示，受到市场需求回温，该地区各项产品无论是数量或销售金额均有明显成长，带动6月份合并自结营业收入较5月份增加32%；另因在部份OEM订单挹注下，6月份DRAM营收比重再度超过35%以上，而Flash部份则维持在60~65%左右。

　　展望第三季，劲永仍看好7月下旬之后，终端需求将会明显上升，同时根据部份外资研究报告指出，虽预期个人电脑(含笔电)出货成长力道仍受欧债风暴波及，但预估因返校潮效益，季成长仍有16%~18%之水准。

　　另外，劲永指出，苹果iPad在海外开卖之后，市场反应热烈，受惠于iPad对于MLCNANDFlash(双层)的需求明显增温，加上数位相机等其他产品的推波助澜，对于第三季NANDFlash市场景气看法是审慎中偏向乐观，至于价格走势则以持平看待。

　　三星2季财报：下半年营业利益盛况持续

　　三星电子第2季营业利益突破5兆韩元。7日发布第2季财报后，三星期待能达成2010年年度160兆韩元的销售额及20兆韩元的营业利益，再为三星写下新纪录。

　　三星7日发表第2季财报，销售额达37兆韩元、营业利益达5兆韩元。销售额较2009年同期上升13.8%，营业利益上升87.3%。相较2010年第1季三星写下史上最高财报纪录，销售额增加6.8个百分点、营业利益增加13.4个百分点。而2010年上半累计销售额预估达71.64兆韩元，营业利益达9.41兆韩元。较2009年同期各上升71.1%及187.77%。

　　半导体、液晶(LCD)达到整体营业利益的70%，引领营收好转。半导体受到全盘性缺货及稳固的价格影响，达到2.5兆~2.8兆韩元的营业利益，而LCD即使正值价格及库存的整顿期，LED和3D等高附加价值面板等仍使营业利益达到较第1季增加60%、近8,000亿韩元。

　　而三星主力产品DRAM，DDR31GB产品价格维持6月每颗2.63美元水平且销售价格有上升趋势。Windows7上市后，计算机换机需求增加，以及智能手机(Smartphone)及平板计算机(TabletPC)销售量增加，使供应也逐渐紧缩。40nm制程DRAM等微细工程扩大及生产效率提高为提升收益性带来相当大的影响!。三星内部人员表示，半导体部分较竞争厂商更早引进制成微缩，且在质量及价格方面皆维持一定水平，因而产生效果。下半年市况展望也不坏，透过即将量产的30nmDRAM等产品将能使销售和营业利益持续目前盛况。

　　LCD部分虽然电视和IT用面板等价格皆呈弱势，但高附加价值的面板比重持续增加，营业利益可望较第1季增加60%以上。第3季受到电视机产业进入旺季，以及3DTV市场成长影响，销售额及营业利益可望较前2季更好。

　　手机和电视部门因受到欧洲财政危机使欧元汇率呈弱势以及市场竞争激烈影响，与半导体或LCD收益率相比相对较低。虽液晶电视(LCDTV)、LEDTV、3DTV销售量将可望更新最高纪录，但电视事业仍受到欧元汇率影响，多少降低其收益性。而手机实际业绩则因6月才祭出GalaxyS等具竞争力的智能型手机阵容，营收部分较第1季小幅滑落。

　　三星内部人员表示，半导体和LCD部门的盛况带动整体实际业绩上升。当下这样的盛况将会持续下去。

　　iphone4：苹果扩大采购上游厂商沸腾

　　iPad和iPhone4上市后热销，为因应2010年下半旺季买气，苹果持续扩大采购零组件，由于相关IC多在台系晶圆厂投片，并交由台系封测厂代工，台系晶圆厂和封测厂第3季订单饱满，产能维持在紧俏局面。半导体厂商预期，就算到第4季订单下滑幅度亦不大，相较于终端电子产品市场传出旺季恐不旺情况，电子产业链上游厂商仍呈现订单接不完荣景。

　　半导体厂商表示，观察近期各IC设计公司和IDM厂下单情况，以苹果相关产品供货商下单力道最为强劲。半导体厂商指出，主要系iPad和iPhone4产品热销，加上苹果看好产品后市，近期开始扩大采购零组件，包括NANDFlash供货商三星、SRAM厂华邦电子、功率放大器供货商Skyworks、蓝牙与Wi-Fi无线网络传输芯片供货商博通、基频芯片供货商英飞凌等，均获苹果追加下单。

　　由于苹果零组件供货商的合作晶圆厂和封测厂，多集中在，因此，相关零组件厂亦纷同步提高委由台系晶圆厂和封测厂订单量，晶圆代工和封测厂订单满手，第3季产能持续紧俏。

　　至于第4季由于先前晶圆厂产能满载，对于部分LCD驱动IC、电源管源IC等晶圆供应吃紧。因此，即使部分客户因季节性因素而减少下单，但先前取得晶圆量不足的客户，仍将趁势增加订单，第4季订单即使下滑，幅度亦不会太大；封测厂方面亦是如此，包括日月光、硅品、京元电、欣铨、硅格等皆处于满载局面。

　　目前封测厂包括硅品、京元电、硅格和欣铨等产能均呈现满载，但因产能增加缓步，加上第2季基期垫高，因此，各家公司皆预期第3季营收季增率仅个位数。封测厂商认为，2010年上半基期明显垫高，第3季即使有旺季效应，但成长动能将趋缓，且受到机台交期递延，导致产能供给不如预期，第3季IC封测业成长力道将会受制于产能不足情况。

　　另外，京元电表示，目前驱动IC测试产能利用率逼近满载，逻辑IC、特殊型内存部分亦维持高档，第3季来自客户订单依旧向上成长。欣铨则指出，内存、LCD驱动IC和电源管理IC因晶圆供应不足，而呈现成长趋缓情况，逻辑IC测试需求依旧强劲，成为支撑第3季营运表现主力。

　　NORFlash产业供不应求热度不退烧，旺宏电子6月营收持续创高达新台币25.87亿元，较上月成长5.8%，未受传统淡季效应的影响，未来旺宏不但在消费性电子和通讯领域站稳脚步，更宣示要进军车用电子NORFlash车用市场，挑战更高难度的应用门坎；此外，因为目前市场供不应求的情况，旺宏也将加快12英寸晶圆厂的量产进度，力拼能在2011年初让12英寸晶圆厂进入量产。

　　2010年NORFlash产业在终端需求用量大增，而供给严重不足下，上半年几乎是一旺，展望第3季市况，日前旺宏、华邦也都出面表示NORFlash价格会持续上涨，以第2季营收来看，旺宏交出的成绩单丝毫没有传统淡季的迹象，营收也是持续走扬。

　　旺宏除了站稳在通讯领域和消费性电子领域市场地位外，日前也宣布进军车用NORFlash市场，这对旺宏而言是全新领域，也是技术门坎和客户门坎都相当高的市场，旺宏首战将从零售市场切入，未来在慢慢渗透进入品牌汽车大厂；过去车用NORFlash产品主要是飞索(Spansion)在供应?A随着旺宏加入战局，未来市场将有一番新风貌出现。

　　在制程技术上，旺宏2010年积极转进0.11nm制程，目标是下半年NORFlash产品的0.11微米制程技术比重可超过50%，之后再导入75nm制程技术。

　　在ROM产品线方面，旺宏也看好大客户任天堂的新产品3D版DS掌上游戏机将问世后，会刺激买气出笼，对于旗下NORFlash和ROM两大产品线都相当看好。

　　他们是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORFlash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDFlash结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NORFlash的特点是芯片内执行（XIP，eXecuteInPlace），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。